CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
举一反三
- 化学机械抛光中, 抛光液的作用是()。 A: 与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化 B: 向抛光垫施加压力 C: 将反应生成物从硅片表面却除 D: 清洗硅片
- 下面关于化学机械抛光技术CMP的叙述正确的选项是（）。 A: 平坦化不同的材料，各种各样的硅片表面能被平坦化 B: 在同一次抛光过程中对平坦化多层材料有用 C: 能获得全局平坦化 D: 由于减小了表面起伏，从而能改善金属台阶覆盖
- InTex的目的是去除硅片表面的污染物；在硅片表面腐蚀出绒面；络合硅片表面沾污的金属离子。
- CMP技术的优点是: A: 能够实现全局平坦化 B: 统一次抛光过程中对多层材料有用 C: 改善金属台阶覆盖 D: 去除硅片表面的缺陷
- 化学机械抛光的平整度是指CMP抛光去除台阶的高度与抛光之前台阶的高度之比，它描述了硅片表面的起伏变化情况。 A: 正确 B: 错误