在外延生长过程中，如果薄膜的生长速度比掺杂物的扩散速度慢，则整个外延层将被衬底的掺杂物掺杂，这种现象叫做？
A: 自掺杂效应
B: 热积存效应
C: 逆生长效应
D: 热辐射效应
A: 自掺杂效应
B: 热积存效应
C: 逆生长效应
D: 热辐射效应
举一反三
- 外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
- 自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（）是减小自掺杂现象可采取的措施。 A: 降低外延生长的温度 B: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖 C: 用两步外延法 D: 低压外延法
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是（ ）。 A: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
- 在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时，可以避免。 A: 沟道效应，< B: 沟道效应，> C: 横向效应，< D: 横向效应，>
- 在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制： A: 集电区穿通效应 B: Early 效应 C: 基区穿通效应 D: Webster效应