中国大学MOOC: 自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（）是减小自掺杂现象可采取的措施。
中国大学MOOC: 自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（）是减小自掺杂现象可采取的措施。
外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（）是减小自掺杂现象可采取的措施。 A: 降低外延生长的温度 B: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖 C: 用两步外延法 D: 低压外延法
自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（）是减小自掺杂现象可采取的措施。 A: 降低外延生长的温度 B: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖 C: 用两步外延法 D: 低压外延法
自掺杂效应与互扩散效应
自掺杂效应与互扩散效应
在外延生长过程中，如果薄膜的生长速度比掺杂物的扩散速度慢，则整个外延层将被衬底的掺杂物掺杂，这种现象叫做？ A: 自掺杂效应 B: 热积存效应 C: 逆生长效应 D: 热辐射效应
在外延生长过程中，如果薄膜的生长速度比掺杂物的扩散速度慢，则整个外延层将被衬底的掺杂物掺杂，这种现象叫做？ A: 自掺杂效应 B: 热积存效应 C: 逆生长效应 D: 热辐射效应
BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
从三极管内部制造工艺来看，发射区__，基区__。（ ） A: 高掺杂，很薄 B: 很薄，高掺杂 C: 高掺杂，面积大 D: 面积大，高掺杂
从三极管内部制造工艺来看，发射区__，基区__。（ ） A: 高掺杂，很薄 B: 很薄，高掺杂 C: 高掺杂，面积大 D: 面积大，高掺杂