外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
举一反三
- 薄膜外延生长技术是指在单晶衬底上,定向地生长与衬底晶体结构相同或类似的晶态薄层。如果生长材料与衬底成分相同,称为______ 外延;生长材料与衬底成分不同,称为______ 外延。
- 在外延生长过程中，如果薄膜的生长速度比掺杂物的扩散速度慢，则整个外延层将被衬底的掺杂物掺杂，这种现象叫做？ A: 自掺杂效应 B: 热积存效应 C: 逆生长效应 D: 热辐射效应
- 自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（）是减小自掺杂现象可采取的措施。 A: 降低外延生长的温度 B: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖 C: 用两步外延法 D: 低压外延法
- 外延是指在单晶衬底上，用物理或化学的方法，按衬底晶向排列（生长）单晶膜的工艺过程。
- 半导体材料的外延生长需要选取合适晶体结构和晶向的单晶衬底材料,其会影响或者说决定衬底之上外延层的晶体结构和择优生长取向。(<br/>)