170.单晶硅生长结束后，用四探针技术测量单晶硅锭的电阻率。
举一反三
- 单晶硅生长结束后,用四探针技术测量单晶硅锭的电阻率。( )
- 下面关于拉制单晶的问题，哪个正确？ A: 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的 B: 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的 C: 实际干锅内熔体的温度梯度为零 D: 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素
- 3、从熔融硅中生长单晶硅的基本技术称为______ 法。
- 下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
- 3、把半导体级硅的多晶硅块，转换成一块大的单晶硅的过程，称作 。生长后的单晶硅被称为 。