下面关于拉制单晶的问题，哪个正确？
A: 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的
B: 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的
C: 实际干锅内熔体的温度梯度为零
D: 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素
A: 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的
B: 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的
C: 实际干锅内熔体的温度梯度为零
D: 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素
举一反三
- 以下制作硅片的流程正确的为（ ）。 A: 沙子-熔融-切割-拉单晶-硅晶圆 B: 沙子-熔融-拉单晶-切割-硅晶圆 C: 沙子-切割-熔融-拉单晶-硅晶圆
- 利用高频感应线圈对多晶硅逐段熔化，在多晶硅锭下方装置籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭界面开始，熔区推进，单晶拉制成功，该方法是 。 A:
- 磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
- 中国大学MOOC: 磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
- 下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。