85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
- 85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
- 下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
- 硅提纯及制备工艺流程正确的是 A: 石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅 B: 金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅 C: 石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅 D: 西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
- 直径大于8英寸的单晶硅锭可以用( )方法制备出来。 A: FZ法 B: CZ法 C: 直拉法 D: 悬浮区熔法
- 制备单晶硅的方法有 A: 直拉法（CZ） B: 悬浮区熔法（FZ） C: 蒸发 D: 溅射
内容
- 0
单晶硅的制备方法主要包括（） A: 直拉法（CZ）法 B: 辅助（AD）法 C: 磁控直拉法（MCZ）法 D: 悬浮区熔法（FZ）法
- 1
直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。
- 2
单晶硅的制备方法有（）。 A: 定向凝固法 B: 直拉单晶法 C: 浇筑法 D: 区熔法
- 3
当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。 A: 还原法 B: 氧化法 C: 悬浮区熔法 D: 直拉法
- 4
生长单晶硅的方法有( ) A: CZ法 B: 区熔法