电子束蒸发淀积的薄膜台阶覆盖性好,沾污少。
对
举一反三
- 如果要求淀积非金属薄膜的台阶覆盖性(保角特性)好,应该使用下列哪种工艺?() A: APCVD B: LPCVD C: PECVD
- 如果要求淀积非金属薄膜的台阶覆盖性（保角特性）好，应该使用下列哪种工艺？ A: APCVD B: APCVD C: PECVD D: PECVD
- 下列（）不属于物理气相淀积？ A: 磁控溅射和射频溅射 B: 电子束蒸发 C: 电阻丝加热蒸发 D: ICP-CVD
- 以下方法中，可用于绝缘介质的淀积的是： 。 A: 电阻丝加热蒸发 B: 电子束蒸发 C: 直流溅射 D: 射频溅射
- 下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。 A: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜 B: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 C: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 D: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
内容
- 0
下面关于集中CVD方法描述正确的是（）。 A: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
- 1
下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。 A: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
- 2
溅射比蒸发制备的薄膜的台阶覆盖比要好。 A: 正确 B: 错误
- 3
中国大学MOOC: 溅射比蒸发制备的薄膜的台阶覆盖比要好。
- 4
电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。 A: 电子源 B: 电子泵 C: 电子管 D: 电子枪