举一反三
- 在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- 【简答题】低压化学气相淀积的淀积速率主要受什么因素控制,为什么?
- 目前典型的CVD系统主要可分为三种，其中淀积温度最高的是 。 A: APCVD B: PECVD C: LPCVD D: MOCVD
内容
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下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。 A: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜 B: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 C: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 D: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
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下面关于集中CVD方法描述正确的是（）。 A: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
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下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。 A: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 B: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 C: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。 D: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
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常见的化学气相淀积方法有 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD D: HDPCVD
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低压化学气相淀积的英文缩写是（）。 A: APCVD B: PECVD C: LPCVD D: HDPCVD