目前典型的CVD系统主要可分为三种，其中淀积温度最高的是 。
A: APCVD
B: PECVD
C: LPCVD
D: MOCVD
A: APCVD
B: PECVD
C: LPCVD
D: MOCVD
举一反三
- ()采用增强的等离子体,从而增加淀积能量,降低沉积温度。 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD
- 比较APCVD、LPCVD和PECVD三种方法的主要异同?主要优缺点?
- 关于CVD方法,以下说法正确的是:() A: CVD过程中,温度较高时一定为扩散限制 B: APCVD的成膜质量要明显高于LPCVD C: PECVD的沉积温度要明显低于APCVD和LPCVD D: CVD技术可以作为一种表面改性技术
- 低压化学气相淀积的英文缩写是（）。 A: APCVD B: PECVD C: LPCVD D: HDPCVD
- 常见的化学气相淀积方法有 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD D: HDPCVD