在淀积好金属层之外，通常采用LPCVD法来淀积SiO2。
举一反三
- 在淀积好金属层之外，通常采用LPCVD法来淀积SiO2。 A: 正确 B: 错误
- 利用旋涂玻璃进行平坦化时采用的“三明治”结构为:PECVD 淀积第一层SiO2;SOG 的涂布与固化;LPCVD 淀积第二层SiO2 。( )
- LPCVD的含义是（）。 A: 常压化学气相淀积 B: 低压化学气相淀积 C: 等离子体化学气相淀积 D: 光化学气相淀积
- 中国大学MOOC: LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小，
- LPCVD和PECVD的不同包括: A: LPCVD 主要采用加热的方式提供化学反应的能量 B: PECVD主要采用等离子体提供能量 C: LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积 D: PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积