中国大学MOOC: LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
举一反三
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- 在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制
- 中国大学MOOC: LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
- LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。