中国大学MOOC: LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
举一反三
- LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（）。 A: SiCl4→Si+2Cl2 B: SiH4 →Si+2H2 C: Si3N4→3Si+2N2 D: SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
- 中国大学MOOC: LPCVD淀积SiO2温度适中（700-800℃），对杂质再分布影响小，
- 在淀积好金属层之外，通常采用LPCVD法来淀积SiO2。
- LPCVD和PECVD的不同包括: A: LPCVD 主要采用加热的方式提供化学反应的能量 B: PECVD主要采用等离子体提供能量 C: LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积 D: PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积
- ()采用增强的等离子体,从而增加淀积能量,降低沉积温度。 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD