减薄划片的低级错误有（）。
A: 错划
B: 漏划
C: 崩单晶
D: 掉芯
A: 错划
B: 漏划
C: 崩单晶
D: 掉芯
A,B,C,D
举一反三
内容
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。 A: 正确 B: 错误
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。 A: 正确 B: 错误
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以下哪些减薄方式属于最终减薄（ ）。 A: 机械减薄法 B: 离子减薄 C: 双喷电解抛光法 D: 化学减薄法
- 3
Low-K晶圆比较脆弱，且易碎，划片时容易造成芯片崩边异常，评估划片参数时，以下哪些信息需要了解（） A: 晶圆厚度 B: 晶圆制程工艺 C: 晶圆划道尺寸及信息 D: 晶圆厂
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。