中国大学MOOC: 小注入条件是指注入的非平衡少数载流子浓度远小于半导体中的多子浓度

2022-11-04

答案：

对

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异质结的超注入现象是指？ A: 在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。 B: 在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度。 C: 在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。 D: 在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
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对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（） A: 平衡载流子浓度成正比 B: 非平衡载流子浓度成正比 C: 平衡载流子浓度成反比 D: 非平衡载流子浓度成反比
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中国大学MOOC: 对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：
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对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。 A: 非平衡载流子浓度成正比； B: 平衡载流子浓度成正比； C: 非平衡载流子浓度成反比； D: 平衡载流子浓度成反比。
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杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 A: 大于 B: 等于 C: 小于