关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-04 对于p型衬底MOSFET而言，当有效氧化层陷阱电荷数增大时，其C-V特性曲线往左移动。 A: 正确 B: 错误 对于p型衬底MOSFET而言，当有效氧化层陷阱电荷数增大时，其C-V特性曲线往左移动。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 对于p型衬底MOSFET的理想C-V特性而言，当C取值最小时，栅压为负。 A: 正确 B: 错误 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。 有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。 有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移
