二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
MOS器件会受到氧化层中的电荷和SiO2-Si界面俘获陷阱的影响,所以MOS器件一般制作在111晶向上。
MOS器件会受到氧化层中的电荷和SiO2-Si界面俘获陷阱的影响,所以MOS器件一般制作在111晶向上。
最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj A: 半导体界面陷阱态 B: 栅介质层中的固定电荷 C: 栅介质层中的可动电荷 D: 栅介质层的陷阱态
最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj A: 半导体界面陷阱态 B: 栅介质层中的固定电荷 C: 栅介质层中的可动电荷 D: 栅介质层的陷阱态
影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷
影响MOSFET阈值电压的因素有（ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道宽度 C: 衬底掺杂浓度 D: 氧化层固定电荷
Si/SiO2体系中，氧化层内的固定电荷都是正的。
Si/SiO2体系中，氧化层内的固定电荷都是正的。
以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度
以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 （ ）。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度
MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是 。 A: 靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大 B: 靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大 C: 靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同 D: 靠近氧化层中间位置的电荷影响更大
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是 。 A: 靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大 B: 靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大 C: 靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同 D: 靠近氧化层中间位置的电荷影响更大