以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（ ）。
A: 采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B: 降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C: 减小发射结和集电结面积以减小电容
D: 适当降低集电区电阻率和厚度
A: 采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B: 降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C: 减小发射结和集电结面积以减小电容
D: 适当降低集电区电阻率和厚度
举一反三
- 以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（ ）。 A: 采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb B: 降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子 C: 减小发射结和集电结面积以减小电容 D: 适当降低集电区电阻率和厚度
- 以下各项中，不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是（ ）。 A: 降低发射区与基区的方块电阻之比 B: 减小基区宽度 C: 减小基区自建电场因子 D: 提高基区少子寿命和迁移率
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。 A: 正确 B: 错误