设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（）。
A: VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B: VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C: VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D: VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
A: VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B: VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C: VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D: VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
举一反三
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
- N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。
- N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。