IGBT综合了( )和MOSFET的优点，具有良好的特性。
A: GTM
B: GTN
C: GTO
D: GTR
A: GTM
B: GTN
C: GTO
D: GTR
举一反三
- IGBT综合了()的优点。 A: MOSFET和GTO B: MOSFET和GTR C: GTR和GTO D: SCR和GTO
- 对IGBT下列说法正确的是（） A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
- 绝缘栅双极晶体管（IGBT)综合了（）和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 A: MOS B: GTR C: CMOS D: BJT
- 在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 () A: MOSFET B: GTO C: IGBT D: GTR
- 电力电子器件（Power MOSFET,GTO,IGBT,GTR）中，电流容量最大的是（），开关频率最高的是（） A: GTO, Power MOSFET B: IGBT, GTO C: GTR, GTO D: GTO, IGBT