少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（ ）。
举一反三
- 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（ ）。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（ ）。
- 在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
- 对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是 A: 发射极延迟时间 B: 基区渡越时间 C: 集电结势垒渡越时间 D: 集电极延迟时间
- 缓变基区晶体管的基区自建电场不利于少子通过基区