中国大学MOOC: 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（ ）。
错
举一反三
- 中国大学MOOC: 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（ ）。
- 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（ ）。 A: 正确 B: 错误
- 在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
- 中国大学MOOC: 基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。
- 对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是 A: 发射极延迟时间 B: 基区渡越时间 C: 集电结势垒渡越时间 D: 集电极延迟时间
内容
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中国大学MOOC: 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（ ）。
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中国大学MOOC: 关于双极型晶体管中基区少子寿命tnb和基区渡越时间tb之间大小关系,下列说法中正确的是
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缓变基区晶体管的基区自建电场不利于少子通过基区
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中国大学MOOC: 从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响( )。
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中国大学MOOC: 在缓变基区晶体管中，由于基区杂质分布不均匀，基区内会产生内建电场，少子在基区中以( )运动为主。