下列关于能带结构的说法中，错误的是（ ）。
A: 硅是间接带隙半导体
B: 禁带宽度具有负的温度系数
C: 室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D: 位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
A: 硅是间接带隙半导体
B: 禁带宽度具有负的温度系数
C: 室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D: 位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
举一反三
- 下列关于能带结构的说法中，错误的是（ ）。 A: 硅是间接带隙半导体 B: 禁带宽度具有负的温度系数 C: 室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV D: 位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
- 【填空题】从能带结构特征上看:硅、锗均为()带隙结构;砷化镓为()带隙结构。后者具有更好的光学性能。硅、锗和砷化镓的室温禁带宽度分别为()eV、()eV和()eV
- 能带顶部电子的有效质量为负;能带底部电子的有效质量为正。
- 能带顶部电子的有效质量为负;能带底部电子的有效质量为正。 A: 正确 B: 错误
- 2. 硅的禁带宽度是 ______ eV，锗的禁带宽度 ______ eV。