热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
对
举一反三
内容
- 0
影响半导体器件或者集成电路横向尺寸的工艺过程是扩散。 A: 正确 B: 错误
- 1
下面哪个选项不是扩散的工艺参数？（ ） A: 杂质的分布 B: 横向分布浓度 C: 表面浓度 D: 结深
- 2
两相均为非小平面属性的二元规则共晶合金凝固界面前沿的溶质扩散以()为主导 A: 横向扩散 B: 纵向扩散 C: 不确定
- 3
离子注入与扩散相比，哪种工艺造成的杂质的横向扩散更小。 A: 离子注入 B: 扩散 C: 不确定
- 4
分子扩散主要包括以下： A: 浓度差扩散 B: 压力梯度扩散 C: 湍流扩散 D: 热扩散