杂质以恒定的表面杂质浓度源源不断的通入,该扩散过程称为:
A: 恒定源扩散
B: 预淀积
C: 有限源扩散
D: 再分布
A: 恒定源扩散
B: 预淀积
C: 有限源扩散
D: 再分布
A,A,B
举一反三
- 两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
- 题3-2-4两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的。 A: 恒定源扩散 B: 有限源扩散 C: 间隙式扩散 D: 替位式扩散
- 遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源，硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为（）。 A: 有限源表面扩散 B: 两步扩散法（包括预扩散和住扩散） C: 恒定源表面扩散 D: 自由式扩散
- 看图判断下列描述是否正确：[img=877x705]1802d23d779f4ba.png[/img] A: 是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数； B: 是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函数； C: 是恒定源扩散，杂质浓度分布是高斯函数； D: 是恒定源扩散，杂质浓度分布是余误差函数。
- 杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
内容
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如果扩散过程中始终保持表面杂质浓度不变(无限源扩散),那么形成的杂质分布是()分布;如果扩散过程中保持杂质的总量不变(限定源扩散),则形成的杂质分布是()分布
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有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。
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扩散中有两种不同形式的扩散规律：（）和恒定杂质总量的扩散，也叫有限源扩散。
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根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。 A: 填隙式扩散 B: 替位式扩散 C: 有限源扩散 D: 恒定源扩散
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根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为 A: 替位式扩散 B: 恒定源扩散 C: 间隙式扩散 D: 有限源扩散