一个衬底、源端、漏端都接地的增强型NMOS管（阈值电压VT>0），下列几种栅极电压VGS取值情况中哪个情况栅极的总电容最小？
A: VGS=0
B: VGS=VT
C: VGS= VDD
D: VGS= VDSAT (速度饱和电压)
A: VGS=0
B: VGS=VT
C: VGS= VDD
D: VGS= VDSAT (速度饱和电压)
举一反三
- NMOS管的开启电压VGS(th)=2V外加漏源电压VDD=10V ,为使管子截止,则要求VGS(th)( )。 A: 2V B: =2V C: 2V D: ≤2V
- 一般把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压vGS称为 电压VT。
- P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大