下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS = 0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（ ）。 和 da018854a898b6286384713faa067d72.png6bc9f2c5497ffbe8a3e7db8f2cfa1082.png
UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。
举一反三
- 下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管,漏源电压UDS=0时,栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是()。和 A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。 B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。 C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。 D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
- 下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS = 0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（ ）。[img=591x417]1803296eaa541b2.png[/img]和[img=647x443]1803296ebdfa0b2.png[/img] A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。 B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。 C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。 D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
- N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS>;0。
- 下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（ ）。 A: 耗尽型MOSFET的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的； B: 增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现； C: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零 D: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零
- N沟道增强型绝缘栅场效应管中,栅源间加正向电压大于开启电压时,建立起导电沟道,产生漏极电流。
内容
- 0
当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 1
栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 2
N沟道增强型绝缘栅场效应管只有外加栅源电压Vgs大于其开启电压Vth时才形成导电沟道
- 3
N沟道耗尽型绝缘栅场效应管中,栅源间只能加正向电压,才能建立起导电沟道,产生漏极电流。
- 4
N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS A: UGS>;0 B: UGS<;0 C: UGS可正可负