关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 栅氧化层的厚度越薄，单位面积栅电容越大，电荷数量变化对VGS的变化越敏感，相应的MOS管的阈值电压数值越大。 栅氧化层的厚度越薄，单位面积栅电容越大，电荷数量变化对VGS的变化越敏感，相应的MOS管的阈值电压数值越大。 答案： 查看 举一反三 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( ) A: 越小 越大 B: 越大 越小 C: 越大 越大 D: 越小 越小 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中,其栅氧化层厚度越小,阈值电压越() 以N沟道增强型MOSFET为例，栅氧化层厚度厚度越大，阈值电压越大。 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压 开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
