杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A: 少子
B: 多子
C: 杂质离子
D: 空穴
A: 少子
B: 多子
C: 杂质离子
D: 空穴
举一反三
- 杂质半导体中,对温度敏感的是 A: 少子的浓度 B: 多子浓度 C: 杂质离子的浓度 D: 空穴的浓度
- 杂质半导体中，的浓度对温度敏感。 A: 多数载流子 B: 少数载流子 C: 杂质离子 D: 空穴
- 在杂质半导体中，（ ）浓度随温度升高显著增加。（备选答案：多子、少子、自由电子、空穴）
- P型半导体中（ ）是少子，少子数目主要决定于（ ） A: 空穴，温度 B: 空穴，掺入杂质的原子浓度 C: 电子 ，温度 D: 电子，掺入杂质的原子浓度
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。