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  • 2022-10-26 问题

    若555定时器的电源电压为+VDD,则两个参考电压分别为【】。 A: +VDD/+2VDD B: -2VDD/+3VDD C: -12VDD/+12VDD D: +23VDD/+13VDD

    若555定时器的电源电压为+VDD,则两个参考电压分别为【】。 A: +VDD/+2VDD B: -2VDD/+3VDD C: -12VDD/+12VDD D: +23VDD/+13VDD

  • 2022-06-26 问题

    555定时器的TH端、TR端的电平分别小于2VDD/3和VDD/3时定时器的输出状态是( )

    555定时器的TH端、TR端的电平分别小于2VDD/3和VDD/3时定时器的输出状态是( )

  • 2022-05-27 问题

    假设电路完全对称，且VDD=3V时，所有器件都饱和，那么Vout=（） A: VDD B: VDD-VGS3 C: 1.5V D: 2.3V

    假设电路完全对称，且VDD=3V时，所有器件都饱和，那么Vout=（） A: VDD B: VDD-VGS3 C: 1.5V D: 2.3V

  • 2022-07-29 问题

    增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD

    增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD

  • 2021-04-14 问题

    CMOS反相器的转折电压为VDD/2。

    CMOS反相器的转折电压为VDD/2。

  • 2022-06-25 问题

    CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。

    CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。

  • 2022-06-25 问题

    CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。

    CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。

  • 2022-06-25 问题

    CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。

    CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。

  • 2022-06-09 问题

    如果CMOS反相器的电源电压是[img=32x22]180307b0db6912e.png[/img]，则反相器的门槛电压为（ ）。（ 1.1/2VDD 2.1/3VDD 请填写序号）

    如果CMOS反相器的电源电压是[img=32x22]180307b0db6912e.png[/img]，则反相器的门槛电压为（ ）。（ 1.1/2VDD 2.1/3VDD 请填写序号）

  • 2022-06-09 问题

    如果CMOS反相器的电源电压是[img=32x22]180307b142c80d4.png[/img]，则反相器的门槛电压为（ ）。（ 1.1/3VDD 2.1/2VDD 请填写序号）

    如果CMOS反相器的电源电压是[img=32x22]180307b142c80d4.png[/img]，则反相器的门槛电压为（ ）。（ 1.1/3VDD 2.1/2VDD 请填写序号）

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