若555定时器的电源电压为+VDD,则两个参考电压分别为【】。 A: +VDD/+2VDD B: -2VDD/+3VDD C: -12VDD/+12VDD D: +23VDD/+13VDD
若555定时器的电源电压为+VDD,则两个参考电压分别为【】。 A: +VDD/+2VDD B: -2VDD/+3VDD C: -12VDD/+12VDD D: +23VDD/+13VDD
555定时器的TH端、TR端的电平分别小于2VDD/3和VDD/3时定时器的输出状态是( )
555定时器的TH端、TR端的电平分别小于2VDD/3和VDD/3时定时器的输出状态是( )
555定时器的TH端、TR端的电平分别大于2VDD/3和VDD/3时定时器的输出状态是。 A: 0 B: 1 C: 原状态 D: 不确定
555定时器的TH端、TR端的电平分别大于2VDD/3和VDD/3时定时器的输出状态是。 A: 0 B: 1 C: 原状态 D: 不确定
555定时器的TH端、TR端的电平分别小于2VDD/3和VDD/3时定时器的输出状态是( )。 A: 不确定 B: 原状态 C: 1 D: 0
555定时器的TH端、TR端的电平分别小于2VDD/3和VDD/3时定时器的输出状态是( )。 A: 不确定 B: 原状态 C: 1 D: 0
CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
CMOS反相器的转折电压为（ ）。 A: Ugs(th) B: VDD/2 C: Ugs(off) D: 1.4V
CMOS反相器的转折电压为（ ）。 A: Ugs(th) B: VDD/2 C: Ugs(off) D: 1.4V
CMOS反相器的阈值电压大约为 A: 1/2VDD B: 0.7V C: 3.4V D: 1.4V
CMOS反相器的阈值电压大约为 A: 1/2VDD B: 0.7V C: 3.4V D: 1.4V
假设电路完全对称，且VDD=3V时，所有器件都饱和，那么Vout=（） A: VDD B: VDD-VGS3 C: 1.5V D: 2.3V
假设电路完全对称，且VDD=3V时，所有器件都饱和，那么Vout=（） A: VDD B: VDD-VGS3 C: 1.5V D: 2.3V
增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
相比TTL反相器，CMOS反相器不仅具有更低静态功耗，而且其电压传输特性更陡，其阈值电压为VDD/2。
相比TTL反相器，CMOS反相器不仅具有更低静态功耗，而且其电压传输特性更陡，其阈值电压为VDD/2。