杂质在扩散过程中,横向扩散和纵向扩散的比例一般为多少? A: 横向扩散长度一般为纵向扩散深度的0.15-0.35 B: 横向扩散长度一般为纵向扩散深度的0.75-0.85 C: 横向扩散长度一般为纵向扩散深度的1.25-1.75 D: 无一般比例
杂质在扩散过程中,横向扩散和纵向扩散的比例一般为多少? A: 横向扩散长度一般为纵向扩散深度的0.15-0.35 B: 横向扩散长度一般为纵向扩散深度的0.75-0.85 C: 横向扩散长度一般为纵向扩散深度的1.25-1.75 D: 无一般比例
钢的渗碳过程中，若将扩散层深度增加一倍，则扩散时间则增加（ ）倍
钢的渗碳过程中，若将扩散层深度增加一倍，则扩散时间则增加（ ）倍
方块电阻的大小与方块的大小无关,只与扩散薄层的材料(电阻率)及扩散的深度(结深)有关。
方块电阻的大小与方块的大小无关,只与扩散薄层的材料(电阻率)及扩散的深度(结深)有关。
钢的渗碳过程中，若将扩散层深度增加一倍，则扩散时间则增加（ ）倍 A: 一倍 B: 两倍 C: 三倍 D: 四倍
钢的渗碳过程中，若将扩散层深度增加一倍，则扩散时间则增加（ ）倍 A: 一倍 B: 两倍 C: 三倍 D: 四倍
车轮荷载压应力，随路基的深度而逐渐（） A: 扩散并趋向消失 B: 应力递增 C: 扩散并递增 D: 不变
车轮荷载压应力，随路基的深度而逐渐（） A: 扩散并趋向消失 B: 应力递增 C: 扩散并递增 D: 不变
杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
附加应力扩散规律:附加应力随深度增加而()。 A: 视情况而定 B: 不变 C: 增大 D: 减小
附加应力扩散规律:附加应力随深度增加而()。 A: 视情况而定 B: 不变 C: 增大 D: 减小
渗碳的强渗时间主要取决于渗碳层深度要求,当试样的渗层深度达到技术要求深度的左右时,即可转入扩散阶段（） A: 41642 B: 1／2 C: 2／3
渗碳的强渗时间主要取决于渗碳层深度要求,当试样的渗层深度达到技术要求深度的左右时,即可转入扩散阶段（） A: 41642 B: 1／2 C: 2／3
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。 A: 正确 B: 错误
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。 A: 正确 B: 错误