下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: 二氧化硅氮化硅 B: 多晶硅硅化金属 C: 单晶硅多晶硅 D: 铝铜 E: 铝硅

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: A二氧化硅氮化硅 B: B多晶硅硅化金属 C: C单晶硅多晶硅 D: D铝铜 E: E铝硅