氧化物IGZO、多晶硅p-Si和非晶硅a-Si三种材料中迁移率最高的是______ ，相比于p-Si，a-Si制作TFT在制备温度上有______ 的优点。
氧化物IGZO、多晶硅p-Si和非晶硅a-Si三种材料中迁移率最高的是______ ，相比于p-Si，a-Si制作TFT在制备温度上有______ 的优点。
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氧化物IGZO、多晶硅p-Si和非晶硅a-Si三种材料中迁移率最高的是______ ，相比于p-Si，a-Si制作TFT在制备温度上有______ 的优点。