BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
从三极管内部制造工艺来看，发射区__，基区__。（ ） A: 高掺杂，很薄 B: 很薄，高掺杂 C: 高掺杂，面积大 D: 面积大，高掺杂
从三极管内部制造工艺来看，发射区__，基区__。（ ） A: 高掺杂，很薄 B: 很薄，高掺杂 C: 高掺杂，面积大 D: 面积大，高掺杂
晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
P型半导体中的空穴和自由电子分别由()形成。 A: 掺杂,热激发 B: 热激发,掺杂 C: 掺杂,掺杂 D: 热激发,热激发
P型半导体中的空穴和自由电子分别由()形成。 A: 掺杂,热激发 B: 热激发,掺杂 C: 掺杂,掺杂 D: 热激发,热激发
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
为什么晶体三极管发射区要高掺杂,基区薄且低掺杂,集电结面积大且集电区低掺杂呢?{
为什么晶体三极管发射区要高掺杂,基区薄且低掺杂,集电结面积大且集电区低掺杂呢?{
在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 掺杂工艺 D: 晶体缺陷
在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 掺杂工艺 D: 晶体缺陷