P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。 A: 正确 B: 错误
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。 A: 正确 B: 错误
P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。
场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS
n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系 D: VGS越大，沟道电阻越大
n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系 D: VGS越大，沟道电阻越大
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN
对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（ ）。 A: VGS，VDS B: VDS，VGS C: VGS，IDS D: IGS，VDS
对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（ ）。 A: VGS，VDS B: VDS，VGS C: VGS，IDS D: IGS，VDS
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。