N沟道增强型MOSFET，当VGS>VT，并且VDS>VGS-VT时，当d、s之间形成导电沟道，此时iD基本保持不变，场效应管工作于输出特性曲线的_______区

N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电。（ ）

一个衬底、源端、漏端都接地的增强型NMOS管（阈值电压VT>0），下列几种栅极电压VGS取值情况中哪个情况栅极的总电容最小？ A: VGS=0 B: VGS=VT C: VGS= VDD D: VGS= VDSAT (速度饱和电压)

一般把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压vGS称为 电压VT。

对于沟道长度足够短的MOSFET，其饱和区漏源电流 A: ∝(VGS -VT)^2 B: ∝W/L C: ∝L D: ∝Cox

N沟道增强型MOSFET 的VGS<VT时，d、s之间没有形成导电沟道，此时iD=_______，场效应管工作于输出特性曲线的 ______区

电路如图所示，假设，[img=46x21]180305b6ca377fb.png[/img]，[img=85x25]180305b6d317245.png[/img]，[img=218x42]180305b6deaf293.png[/img]如果晶体管VT工作在饱和区，漏极直流电流为0.5mA，则直流电压VGS以及该电路的增益Av分别为？（注意vI包括了偏置电压和小信号，且[img=86x28]180305b6e73df22.png[/img]）[img=224x373]180305b6f285aaa.png[/img] A: VGS=0.879V , Av = -7.23 B: VGS=0.226V , Av = -7.23 C: VGS=0.573V , Av = -11.55 D: VGS=0.573V , Av = -9.75

有下列条件（）就可以决定结型场效应管的转移特性曲线。 A: VDS和VGS B: VDS和ID C: VP和IDSS D: VT和IDSS

下面关于N沟道增强型场效应管，描述正确的是（ ）。 A: 只要vDS>;0，就会产生漏极电流 B: 只有vGS>;vT>;0，才能产生导电沟道 C: vGS越大，沟道的导电能力越强，在vDS相同时产生的漏极电流也越大 D: 因为漏极电流ID受栅源电压vGS控制，故其大小只和vGS有关，而和vDS无关

P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS