在图3-2a 所示的升压斩波电路中,已知[tex=3.143x1.0]3quihcPdzZLjrPo0BfWe6g==[/tex],L值和C值极大,[tex=3.286x1.0]qWWNWgjLRfmaLlC1EtjALg==[/tex],采用脉宽调制控制方式,当[tex=7.857x1.214]PlmyDd71vofq6mKDMbKGPIQuU4vQ+19bVphDlDlVFr2EicuzhT2yR/X9aChePV5h[/tex] 时,计算输出电压平均值[tex=1.071x1.143]J5DKGtwd42gcAjjETMk63A==[/tex]输出电流平均值[tex=0.857x1.143]xG+0gof+NgxnEon//mNMbg==[/tex]。
在图3-2a 所示的升压斩波电路中,已知[tex=3.143x1.0]3quihcPdzZLjrPo0BfWe6g==[/tex],L值和C值极大,[tex=3.286x1.0]qWWNWgjLRfmaLlC1EtjALg==[/tex],采用脉宽调制控制方式,当[tex=7.857x1.214]PlmyDd71vofq6mKDMbKGPIQuU4vQ+19bVphDlDlVFr2EicuzhT2yR/X9aChePV5h[/tex] 时,计算输出电压平均值[tex=1.071x1.143]J5DKGtwd42gcAjjETMk63A==[/tex]输出电流平均值[tex=0.857x1.143]xG+0gof+NgxnEon//mNMbg==[/tex]。
同轴电l内导体半径为[tex=0.571x0.786]HXNXn3AXpwdIpZt8+6oCEw==[/tex] , 外导体内半径为 [tex=0.429x1.0]Q2fWySASH/4Xf2eu85OwAQ==[/tex],外导体厚度很薄可忽略。两导体 之间的媒质磁导率为[tex=1.0x1.0]ILQ7jIUIqNVuoKZpD55MKg==[/tex], 设电细通过电流为[tex=0.857x1.143]xG+0gof+NgxnEon//mNMbg==[/tex]求其单位长度的磁场能量。
同轴电l内导体半径为[tex=0.571x0.786]HXNXn3AXpwdIpZt8+6oCEw==[/tex] , 外导体内半径为 [tex=0.429x1.0]Q2fWySASH/4Xf2eu85OwAQ==[/tex],外导体厚度很薄可忽略。两导体 之间的媒质磁导率为[tex=1.0x1.0]ILQ7jIUIqNVuoKZpD55MKg==[/tex], 设电细通过电流为[tex=0.857x1.143]xG+0gof+NgxnEon//mNMbg==[/tex]求其单位长度的磁场能量。
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