th_______vi. 兴旺,繁荣
th_______vi. 兴旺,繁荣
根据短文内容判断正误Hà Nội là thủ đô của Việt Nam.[音频]
根据短文内容判断正误Hà Nội là thủ đô của Việt Nam.[音频]
Dưới sự cai trị của thực dân Pháp, Việt Nam đã từ xã hội phong kiến trở thành xã hội( )( ) A: thực dân B: bán thực dân C: bán phong kiên D: bán thực dân bán phong kiến
Dưới sự cai trị của thực dân Pháp, Việt Nam đã từ xã hội phong kiến trở thành xã hội( )( ) A: thực dân B: bán thực dân C: bán phong kiên D: bán thực dân bán phong kiến
Đến cuối năm 2008, tổng dân số Việt Nam đạt khoảng( )người, xếp hàng thứ( )trên toàn thế giới. () A: 68.610.000, 14 B: 86.160.000, 12 C: 88.680.000, 10 D: 98.870.000, 8
Đến cuối năm 2008, tổng dân số Việt Nam đạt khoảng( )người, xếp hàng thứ( )trên toàn thế giới. () A: 68.610.000, 14 B: 86.160.000, 12 C: 88.680.000, 10 D: 98.870.000, 8
Nước Cộng hòa Dân chủ Việt Nam thành lập vào năm( )( ) A: 1942 B: 1943 C: 1944 D: 1945
Nước Cộng hòa Dân chủ Việt Nam thành lập vào năm( )( ) A: 1942 B: 1943 C: 1944 D: 1945
N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)
N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS>uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD>uGS(th) 。
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS>uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD>uGS(th) 。
Những năm( )thực dân Pháp bắt đầu xâm lược Việt Nam.( ) A: 1856 B: 1857 C: 1858 D: 1859
Những năm( )thực dân Pháp bắt đầu xâm lược Việt Nam.( ) A: 1856 B: 1857 C: 1858 D: 1859
N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS> UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) B: UGS> UGS(th), UDS< UGS - UGS(th) C: UGS<UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) D: UGS< UGS(th), UDS<UGS - UGS(th)
N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS> UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) B: UGS> UGS(th), UDS< UGS - UGS(th) C: UGS<UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) D: UGS< UGS(th), UDS<UGS - UGS(th)
N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>______, UDSQ>______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)
N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ>______, UDSQ>______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)