• 2022-05-29 问题

    th_______vi. 兴旺,繁荣

    th_______vi. 兴旺,繁荣

  • 2022-05-26 问题

    根据短文内容判断正误Hà Nội là thủ đô của Việt Nam.[音频]

    根据短文内容判断正误Hà Nội là thủ đô của Việt Nam.[音频]

  • 2022-05-31 问题

    Dưới sự cai trị của thực dân Pháp, Việt Nam đã từ xã hội phong kiến trở thành xã hội( )( ) A: thực dân B: bán thực dân C: bán phong kiên D: bán thực dân bán phong kiến

    Dưới sự cai trị của thực dân Pháp, Việt Nam đã từ xã hội phong kiến trở thành xã hội( )( ) A: thực dân B: bán thực dân C: bán phong kiên D: bán thực dân bán phong kiến

  • 2022-05-31 问题

    Đến cuối năm 2008, tổng dân số Việt Nam đạt khoảng( )người, xếp hàng thứ( )trên toàn thế giới. () A: 68.610.000, 14 B: 86.160.000, 12 C: 88.680.000, 10 D: 98.870.000, 8

    Đến cuối năm 2008, tổng dân số Việt Nam đạt khoảng( )người, xếp hàng thứ( )trên toàn thế giới. () A: 68.610.000, 14 B: 86.160.000, 12 C: 88.680.000, 10 D: 98.870.000, 8

  • 2022-06-05 问题

    Nước Cộng hòa Dân chủ Việt Nam thành lập vào năm( )( ) A: 1942 B: 1943 C: 1944 D: 1945

    Nước Cộng hòa Dân chủ Việt Nam thành lập vào năm( )( ) A: 1942 B: 1943 C: 1944 D: 1945

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

  • 2022-06-05 问题

    Những năm( )thực dân Pháp bắt đầu xâm lược Việt Nam.( ) A: 1856 B: 1857 C: 1858 D: 1859

    Những năm( )thực dân Pháp bắt đầu xâm lược Việt Nam.( ) A: 1856 B: 1857 C: 1858 D: 1859

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

  • 2022-10-30 问题

    N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ&gt;______, UDSQ&gt;______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ&gt;______, UDSQ&gt;______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)

  • 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10