随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化，绝缘栅双极晶体管（IGBT）将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高，控制电流（栅极电流）IG≈0，故驱动功率小。因此在（ ）中，IGBT处于绝对优势。
A: 大型变频器
B: 中小容量变频器
C: 直流调压调速系统
D: 高精密变频调速系统
A: 大型变频器
B: 中小容量变频器
C: 直流调压调速系统
D: 高精密变频调速系统
举一反三
- 随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化,绝缘栅双极晶体管(IGBT)将经历非饱和导通、饱和导通和截止三种状态。由于控制信号UGE的输入阻抗很高,控制电流(栅极电流)IG≈0,故驱动功率小。因此在()中,IGBT处于绝对优势
- 随着栅极G与发射极E之间的电压UGE的变化,绝缘栅双极晶体管(IGBT)将经历非...率小。因此在()中,IGBT处于绝对优势
- 根据绝缘栅双极晶体管（IGBT）的转移特性，当栅极电压UGE大于开启电压UGE（th）时，IGBT处于状态（） A: 导通 B: 截止 C: 放大 D: 击穿
- 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制． A: 栅极电流 B: 发射极电流 C: 栅极电压 D: 发射极电压
- 智慧职教: IGBT中，UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。