以下方法可用来制备晶体硅薄膜的有（ ）。
A: 热辅助化学气相沉积（TA-CVD）
B: 液相外延(LPE)
C: 近空间气相输运(CSVT)
D: 和离子辅助沉积（IAD）
A: 热辅助化学气相沉积（TA-CVD）
B: 液相外延(LPE)
C: 近空间气相输运(CSVT)
D: 和离子辅助沉积（IAD）
A,B,C,D
举一反三
- 以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有（ ）。 A: 液相外延（LPE）法 B: 化学气相沉积（CVD）法 C: 等离子增强化学气相沉积（PECVD）法 D: 低压化学气相沉积（LPCVD）
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- 薄膜沉积工艺可以分为气相沉积和(______ )两大类,气相沉积又分为(______ )气相沉积和化学气相沉积。
- 化学气相沉积（CVD）按照反应气压进行分类，可以分为？ A: 常压化学气相沉积 B: 低压化学气相沉积 C: 等离子体增强化学气相沉积 D: 高压气相沉积
- 以下方法可用来制备砷化镓薄膜的有（ ）。 A: 液相外延技术 B: 金属有机化学气相沉积技术 C: 分子束外延技术 D: 以上都是
内容
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以下半导体工艺中可以用来制备薄膜的有() A: 拉单晶 B: 化学气相沉积 C: 物理气相沉积 D: 溅射
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下面哪些方法可以用于制备二维纳米材料（） A: 静电纺丝 B: 化学气相沉积（CVD） C: 化学液相沉积（CBD） D: 微乳液法
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异质结的制备方法通常包括() A: 液相外延 B: 金属有机化学气相沉积MOCVD C: 分子束外延MBE
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物理气相沉积方法有（ ）。 A: 磁控溅射 B: 等离子体增强化学气相沉积 C: 热蒸发 D: 电子束蒸发
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气相沉积法分为物理气相沉积法和化学气相沉积法。（ ）