以下方法可用来制备晶体硅薄膜的有( )。
A: 热辅助化学气相沉积(TA-CVD)
B: 液相外延(LPE)
C: 近空间气相输运(CSVT)
D: 和离子辅助沉积(IAD)
A: 热辅助化学气相沉积(TA-CVD)
B: 液相外延(LPE)
C: 近空间气相输运(CSVT)
D: 和离子辅助沉积(IAD)
举一反三
- 以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有( )。 A: 液相外延(LPE)法 B: 化学气相沉积(CVD)法 C: 等离子增强化学气相沉积(PECVD)法 D: 低压化学气相沉积(LPCVD)
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有()。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- 薄膜沉积工艺可以分为气相沉积和(______ )两大类,气相沉积又分为(______ )气相沉积和化学气相沉积。
- 化学气相沉积(CVD)按照反应气压进行分类,可以分为? A: 常压化学气相沉积 B: 低压化学气相沉积 C: 等离子体增强化学气相沉积 D: 高压气相沉积
- 以下方法可用来制备砷化镓薄膜的有( )。 A: 液相外延技术 B: 金属有机化学气相沉积技术 C: 分子束外延技术 D: 以上都是