提高光刻最小线宽可以通过减小光源波长实现。
举一反三
- 提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
- 浸入式光刻技术可以使193nm光刻工艺的最小线宽减小到45nm以下。它通过采用折射率高的液体代替透镜组件间的空气，达到（）的目的。 A: 增大光源波长； B: 减小光源波长； C: 减小光学系统数值孔径； D: 增大光学系统数值孔径。
- 目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。 （ ）
- X射线光刻、电子束光刻和极紫外光刻技术均是通过减小光源波长来提高分辨率的先进光刻技术。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: X射线光刻、电子束光刻和极紫外光刻技术均是通过减小光源波长来提高分辨率的先进光刻技术。