以下关于理想MOS结构的说法中，正确的是（ ）。
A: 不考虑Si-SiO2界面的结构
B: 不考虑金属和半导体之间的功函数之差
C: 金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子
D: 都正确
A: 不考虑Si-SiO2界面的结构
B: 不考虑金属和半导体之间的功函数之差
C: 金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子
D: 都正确
举一反三
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响 A: 正确 B: 错误
- 理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响
- 理想MOS结构的定义包括 A: 金属和半导体的功函数差为零 B: Si-SiO2系统不存在表面态电荷 C: 氧化膜电阻无穷大，没有电流通过 D: 衬底是P型半导体
- 中国大学MOOC: 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构 B: 该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构 C: 该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构 D: 该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构