中国大学MOOC: 设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（ ）。

N沟道增强型绝缘栅场效应管只有外加栅源电压Vgs大于其开启电压Vth时才形成导电沟道

下列关于阈值电压的说法，不正确的是（） A: NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS B: 在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压 C: 当VGS>VTH时，NMOS器件导通 D: 若VTH=0，则 NMOS器件关断

下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（） A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 B: MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计 C: MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS<VTH时，仍有IDS存在 D: 当VGS<VTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS

N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是？ A: VGS>VGS(th)，VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th)，VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th)，VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th)，VDSVGS-VGS(th)

P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

一个衬底、源端、漏端都接地的增强型NMOS管（阈值电压VT&gt;0），下列几种栅极电压VGS取值情况中哪个情况栅极的总电容最小？ A: VGS=0 B: VGS=VT C: VGS= VDD D: VGS= VDSAT (速度饱和电压)

N沟道结型场效应管的vGS越负，iD越小，vGS不可为正