关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 采用无机碱（KOH/NaOH）在刻蚀工艺中对扩散后硅片背面及边缘进行刻蚀抛光，替代传统酸抛光刻蚀工艺，能够取得更好的抛光性能，并降低工艺成本。 采用无机碱（KOH/NaOH）在刻蚀工艺中对扩散后硅片背面及边缘进行刻蚀抛光，替代传统酸抛光刻蚀工艺，能够取得更好的抛光性能，并降低工艺成本。 答案： 查看 举一反三 刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移? ( ) A: 氧化 B: 光刻 C: 抛光 D: 离子注入 各向同性的湿法刻蚀在MEMS工艺中应用主要有 A: 去除表面损伤 B: 消除尖角 C: 降低表面的残余应力 D: 其他加工后表面的抛光 减薄和刻蚀或者用于刻蚀圆形通道 在刻蚀工艺中，具有最高选择性的刻蚀工艺是 A: 等离子体刻蚀 B: 干法刻蚀 C: 湿法刻蚀 D: 物理刻蚀 刻蚀均匀性是衡量刻蚀工艺在整个硅片上或整个一批硅片间,或批与批的硅片间刻蚀速率均匀性。 在刻蚀工艺中，减少工艺的压力可以提高刻蚀气体的平均自由程，刻蚀气体容易达到薄膜表面，可以降低宏观负载效应。
