各向同性的湿法刻蚀在MEMS工艺中应用主要有
A: 去除表面损伤
B: 消除尖角
C: 降低表面的残余应力
D: 其他加工后表面的抛光 减薄和刻蚀或者用于刻蚀圆形通道
A: 去除表面损伤
B: 消除尖角
C: 降低表面的残余应力
D: 其他加工后表面的抛光 减薄和刻蚀或者用于刻蚀圆形通道
举一反三
- 刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料，在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中，（ ）因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 激光刻蚀
- 在刻蚀工艺中，减少工艺的压力可以提高刻蚀气体的平均自由程，刻蚀气体容易达到薄膜表面，可以降低宏观负载效应。
- 微细加工技术中的刻蚀工艺可分为（）。 A: 湿法刻蚀 B: 干法刻蚀、 C: 混合刻蚀
- 微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种( )。 A: 离子束刻蚀、激光刻蚀 B: 干法刻蚀、湿法刻蚀 C: 溅射加工、直写加工 D: 激光刻蚀、电子束刻蚀
- 以下刻蚀方法中，不属于各向同性的刻蚀是（）。 A: 湿法刻蚀 B: 溅射刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 反应离子刻蚀