背金属芯片，整片晶圆芯片背金属脱落超过（）为不良？
A: 5%
B: 10%
C: 15%
D: 20%
A: 5%
B: 10%
C: 15%
D: 20%
A
举一反三
- 背金属晶圆（背金或背银）背金属如有脱落，下面哪些说法是正确的（） A: 背金属脱落不会造成产品电性能不良 B: 单个芯片镀层脱落≥10%为不良 C: 整个圆片镀层脱落≥10%为不良 D: 整个圆片镀层脱落≥20%为不良
- 上芯银浆空洞标准，空洞面积不得超过芯片面积的（）单个空洞出现横穿芯片为不良。 A: 2% B: 5% C: 10% D: 15%
- 芯片四周角上缺损面积（）的芯片面积为不良。 A: ≥5% B: ≥15% C: ≥10% D: ≥8%
- 上芯机生产的产品单个空洞面积芯片面积为不良，合计空洞面积（）芯片面积为不良。 A: ＞3%＞5% B: ＞3%＞10% C: ＞5%＞10% D: ＞5%＞15%
- 一片晶圆上只有一个芯片
内容
- 0
一片晶圆上只有一个芯片
- 1
一片晶圆上只有一个芯片 A: 正确 B: 错误
- 2
TO系列产品超声扫描，空洞面积大于（）芯片面积为不良。 A: 10% B: 15% C: 5% D: 25%
- 3
中国大学MOOC:一片晶圆上只有一个芯片
- 4
一个存储容量为1M×1位的DRAM芯片，采用地址分时送入的方法，芯片应具有（ ）根地址线。 A: 5 B: 10 C: 15 D: 20