为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：（）。
A: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖
B: 用两步外延法
C: 低压外延法
D: 降低外延生长温度
A: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖
B: 用两步外延法
C: 低压外延法
D: 降低外延生长温度
举一反三
- 自掺杂现象是指非反应气体有意掺入的杂质引起的外延层的掺杂现象，下面选项中（）是减小自掺杂现象可采取的措施。 A: 降低外延生长的温度 B: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖 C: 用两步外延法 D: 低压外延法
- 在外延生长过程中，如果薄膜的生长速度比掺杂物的扩散速度慢，则整个外延层将被衬底的掺杂物掺杂，这种现象叫做？ A: 自掺杂效应 B: 热积存效应 C: 逆生长效应 D: 热辐射效应
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料相同，例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延
- 外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料不一致，例如蓝宝石衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延