利用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，可以选择普通玻璃作为衬底。
举一反三
- 利用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，可以选择普通玻璃作为衬底。 A: 正确 B: 错误
- LPCVD通常利用硅烷（或乙烷）作为源气体，在低压条件下热分解气体源，从而直接在衬底上沉积得到多晶硅薄膜。
- 利用LPE法制备多晶硅薄膜，首先要在高温条件下将硅熔融在（ ）等母液里，达到饱和后，再将衬底浸入合金熔液中，最后降低温度，使硅在合金熔液中处于过饱和状态，作为第二相析出在衬底上，形成多晶硅薄膜。 A: Cu B: Al C: In D: 以上都可以
- 多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备： A: APCVD B: 磁控溅射 C: LPCVD D: VPE
- 制备多晶硅薄膜的CVD方法可分为高温工艺和低温工艺两种。高温工艺中，衬底温度超过600℃，以廉价普通玻璃为衬底；低温工艺的衬底温度低于600℃，以昂贵的石英玻璃等作衬底。