利用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，可以选择普通玻璃作为衬底。
错
举一反三
- 利用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，可以选择普通玻璃作为衬底。 A: 正确 B: 错误
- LPCVD通常利用硅烷（或乙烷）作为源气体，在低压条件下热分解气体源，从而直接在衬底上沉积得到多晶硅薄膜。
- 利用LPE法制备多晶硅薄膜，首先要在高温条件下将硅熔融在（ ）等母液里，达到饱和后，再将衬底浸入合金熔液中，最后降低温度，使硅在合金熔液中处于过饱和状态，作为第二相析出在衬底上，形成多晶硅薄膜。 A: Cu B: Al C: In D: 以上都可以
- 多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备： A: APCVD B: 磁控溅射 C: LPCVD D: VPE
- 制备多晶硅薄膜的CVD方法可分为高温工艺和低温工艺两种。高温工艺中，衬底温度超过600℃，以廉价普通玻璃为衬底；低温工艺的衬底温度低于600℃，以昂贵的石英玻璃等作衬底。
内容
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采用LPCVD或PECVD方法可以制备下列哪种薄膜： A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶介质 D: 二氧化硅
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所谓多晶硅薄膜的间接制备法，就是先制备得到（ ）薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。 A: 非晶硅 B: 单晶硅 C: 微晶硅 D: 多晶硅
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多晶硅薄膜的间接制备法是指先制备得到 晶硅薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。
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GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。(<br/>)
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化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积