LPCVD通常利用硅烷（或乙烷）作为源气体，在低压条件下热分解气体源，从而直接在衬底上沉积得到多晶硅薄膜。
对
举一反三
- 制备多晶硅薄膜最常用的方法，就是在真空条件下，将SiH4等和H2的混合气体在一定的压力、温度、气体配比等条件下分解，然后再加热（300-1200℃），在衬底上沉积得到多晶硅薄膜，这就是所谓的化学气相沉积（CVD）法。
- 利用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，可以选择普通玻璃作为衬底。
- 利用LPCVD法制备多晶硅薄膜时，可以选择普通玻璃作为衬底。 A: 正确 B: 错误
- 化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 A: 热丝化学气相沉积制备多晶硅 B: 低压化学气相沉积制备多晶硅 C: 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 D: 等离子增强化学气相沉积
- 柔性无机器件通常是在玻璃衬底上沉积薄膜；而柔性有机器件通常是在硅衬底或Ⅲ-Ⅴ族化合物衬底上沉积薄膜。
内容
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利用LPE法制备多晶硅薄膜，首先要在高温条件下将硅熔融在（ ）等母液里，达到饱和后，再将衬底浸入合金熔液中，最后降低温度，使硅在合金熔液中处于过饱和状态，作为第二相析出在衬底上，形成多晶硅薄膜。 A: Cu B: Al C: In D: 以上都可以
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化学气相沉积（CVD）法的源材料直接为气体，在高温或等离子条件下生长一维纳米材料。
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下面（）选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。 A: 气态源扩散 B: 液态源扩散 C: 固态源扩散 D: 旋涂源扩散
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以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有（ ）。 A: 液相外延（LPE）法 B: 化学气相沉积（CVD）法 C: 等离子增强化学气相沉积（PECVD）法 D: 低压化学气相沉积（LPCVD）
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NMOS晶体管是()型硅衬底上的n+源漏区,工作时在栅极下方的硅衬底的表面上形成n型导电沟道。PMOS晶体管是()型硅衬底上的p+源漏区,工作时在硅衬底上的表面形成p型导电沟道。